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BS.205625851-高密度低压场效应管芯片- 深圳市金誉半导体股份有限公司

2021年03月05日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.205625851的集成电路，该集成电路名称为高密度低压场效应管芯片，由深圳市金誉半导体股份有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.205625851

布图设计申请日：

2020年12月25日

公告日期：

2021年03月05日

公开（公告）号：

40578

布图设计名称：

高密度低压场效应管芯片

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

逻辑

布图设计权利人：

深圳市金誉半导体股份有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

胡慧雄、李龙

布图设计创作完成日：

2020年10月28日

代理人：

彭西洋

代理机构：

深圳市中科创为专利代理有限公司

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)

深圳市金誉半导体股份有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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