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BS.20555363X-MOSFET功率器件芯片 P0N2- 深圳市金誉半导体股份有限公司

2020年10月28日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.20555363X的集成电路，该集成电路名称为 MOSFET功率器件芯片 P0N2，由深圳市金誉半导体股份有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.20555363X

布图设计申请日：

2020年07月24日

公告日期：

2020年10月28日

公开（公告）号：

34312

布图设计名称：

MOSFET功率器件芯片 P0N2

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

NMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

深圳市金誉半导体股份有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

覃尚育

布图设计创作完成日：

2020年06月18日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)

深圳市金誉半导体股份有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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