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BS.195593545-沟槽型MOSFET功率器件芯片JC01- 深圳市金誉半导体股份有限公司

2019年12月27日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.195593545的集成电路，该集成电路名称为沟槽型MOSFET功率器件芯片JC01，由深圳市金誉半导体股份有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.195593545

布图设计申请日：

2019年05月29日

公告日期：

2019年12月27日

公开（公告）号：

22963

布图设计名称：

沟槽型MOSFET功率器件芯片JC01

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

NMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

深圳市金誉半导体股份有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

林河北、黎双亮、杨东霓

布图设计创作完成日：

2019年03月18日

代理人：

谭雪婷、彭西洋

代理机构：

深圳市中科创为专利代理有限公司

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)

深圳市金誉半导体股份有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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