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BS.205002609-GST75M100S沟槽肖特基二极管- 广微集成技术（深圳）有限公司

2020年06月12日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.205002609的集成电路，该集成电路名称为 GST75M100S沟槽肖特基二极管，由广微集成技术（深圳）有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.205002609

布图设计申请日：

2020年03月13日

公告日期：

2020年06月12日

公开（公告）号：

30447

布图设计名称：

GST75M100S沟槽肖特基二极管

布图设计结构：

其他

布图设计技术：

NMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

广微集成技术（深圳）有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

单亚东、谢刚、胡丹

布图设计创作完成日：

2018年05月03日

代理人：

冯筠

代理机构：

深圳市精英专利事务所

商业用途开始日期：

2018年11月30日

布图设计权利人地址：

广东省深圳市南山区松坪山新西路7号兰光科技大楼B209

广微集成技术（深圳）有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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