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BS.195584015-GST83M100L低压沟槽肖特基二极管- 广微集成技术（深圳）有限公司

2019年12月18日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.195584015的集成电路，该集成电路名称为 GST83M100L低压沟槽肖特基二极管，由广微集成技术（深圳）有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.195584015

布图设计申请日：

2019年03月21日

公告日期：

2019年12月18日

公开（公告）号：

22030

布图设计名称：

GST83M100L低压沟槽肖特基二极管

布图设计结构：

其他

布图设计技术：

NMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

广微集成技术（深圳）有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

单亚东、谢刚、胡丹

布图设计创作完成日：

2018年09月20日

代理人：

田卫平

代理机构：

工业和信息化部电子专利中心

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

广东省深圳市南山区松坪山新西路7号兰光科技大楼B209

广微集成技术（深圳）有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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