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BS.195599314-2Gb LPDDR4 DRAM (25nm)- 西安紫光国芯半导体有限公司

2020年01月08日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.195599314的集成电路，该集成电路名称为 2Gb LPDDR4 DRAM (25nm)，由西安紫光国芯半导体有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.195599314

布图设计申请日：

2019年07月09日

公告日期：

2020年01月08日

公开（公告）号：

24254

布图设计名称：

2Gb LPDDR4 DRAM (25nm)

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

存储

布图设计权利人：

西安紫光国芯半导体有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

西安紫光国芯半导体有限公司

布图设计创作完成日：

2018年02月03日

代理人：

李鹏威

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司

商业用途开始日期：

2019年01月09日

布图设计权利人地址：

陕西省西安市高新区高新六路38号A座4楼

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同日公布集成电路设计

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