BS.165514493-2Gb NAND FLASH (38nm)- 西安紫光国芯半导体有限公司


  2016年11月04日,国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.165514493的集成电路, 该集成电路名称为 2Gb NAND FLASH (38nm), 由 西安紫光国芯半导体有限公司 作为布图设计权利人。


集成电路布图设计专用权公告具体内容如下:

BS.165514493
2016年07月22日
2016年11月04日
13043
2Gb NAND FLASH (38nm)
MOS
CMOS
存储
西安紫光国芯半导体有限公司
中国
西安紫光国芯半导体有限公司
2015年12月15日
陆万寿
西安通大专利代理有限责任公司
2016年06月04日
陕西省西安市高新区高新六路38号A座4楼


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