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BS.165518316-一种工作在1.62V到5V的LDO的版图结构- 武汉新芯集成电路制造有限公司

2017年05月03日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.165518316的集成电路，该集成电路名称为一种工作在1.62V到5V的LDO的版图结构，由武汉新芯集成电路制造有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.165518316

布图设计申请日：

2016年11月07日

公告日期：

2017年05月03日

公开（公告）号：

13860

布图设计名称：

一种工作在1.62V到5V的LDO的版图结构

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

冯乃柏、齐蓓蓓、丁枝秀、丁志春、刘丹

布图设计创作完成日：

2016年07月20日

代理人：

竺路玲

代理机构：

上海申新律师事务所

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新四路18号

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同日公布集成电路设计

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