BS.175529000-一种适用于55nm工艺工作电压在3.3V的随PVT稳定变化的IBIAS电流产生版图结构- 武汉新芯集成电路制造有限公司

2018年03月16日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.175529000的集成电路，该集成电路名称为一种适用于55nm工艺工作电压在3.3V的随PVT稳定变化的IBIAS电流产生版图结构，由武汉新芯集成电路制造有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.175529000

布图设计申请日：

2017年07月07日

公告日期：

2018年03月16日

公开（公告）号：

15780

布图设计名称：

一种适用于55nm工艺工作电压在3.3V的随PVT稳定变化的IBIAS电流产生版图结构

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

丁志春、王礼维、冯乃柏、骆怡、何洪楷

布图设计创作完成日：

2016年07月15日

代理人：

王仙子

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）

商业用途开始日期：

布图设计权利人地址：

湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

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