更多菜单

BS.13500182X-RX20N06 TrenchMOSFET- 成都瑞芯电子有限公司

2013年07月24日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.13500182X的集成电路，该集成电路名称为 RX20N06 TrenchMOSFET，由成都瑞芯电子有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.13500182X

布图设计申请日：

2013年03月07日

公告日期：

2013年07月24日

公开（公告）号：

7402

布图设计名称：

RX20N06 TrenchMOSFET

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

NMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

成都瑞芯电子有限公司

布图设计权利人国籍：

四川

布图设计创作人：

王新

布图设计创作完成日：

2013年01月17日

代理人：

谭新民

代理机构：

成都行之专利代理事务所（普通合伙）

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

成都高新区世纪城南路216号天府软件园D6楼14层

成都瑞芯电子有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

拖动滑块完成拼图

Document

拖动滑块完成拼图

订单

风格一
风格二
风格三
风格四
风格五
风格六
风格七
风格八
风格九