| 申请/专利权人： 珠海格力电器股份有限公司
| 申请日：2019-08-16 |
| 发明/设计人：郭依腾;史波 | 公开（公告）日：2025-03-21 |
| 代理机构：北京华夏泰和知识产权代理有限公司 | 公开（公告）号：CN112397380B |
| 代理人：韩来兵 | 主分类号：H01L21/28 |
| 地址：519070 广东省珠海市前山金鸡西路 | 分类号：H01L21/28;H10D64/62 |
| 专利状态码：有效-授权 | 优先权： |
| 法律状态：2025.03.21#授权 2021.03.12#实质审查的生效 2021.02.23#公开 | |
| 摘要：本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体器件及其制作工艺。功率半导体器件的制作工艺包括以下步骤：在衬底的正面沉积一层外延层并完成功率半导体器件正面结构的制作；对所述衬底的背面进行刻蚀，刻蚀穿整个衬底，直至外延层，形成引线孔；在所述引线孔里填充金属并在所述衬底背面垫积形成背面金属层，并退火合金，将所述外延层通过金属引线到背面金属层。本工艺不需对衬底进行减薄，而是采用引线孔技术，将背面电极引出。在不影响焊接工艺和功率半导体器件电性的基础上，取缔了减薄工艺，保留了衬底作为支撑，避免了减薄过程以及后续薄片制作工艺上造成的碎片风险，节约了成本。 | |
| 主权项：1.一种功率半导体器件的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n在衬底的正面形成一层外延层并完成功率半导体器件正面结构的制作；/n对所述衬底的背面进行刻蚀，刻蚀穿整个衬底，直至外延层，形成引线孔；/n在所述引线孔里填充金属并在所述衬底背面垫积形成背面金属层，并退火合金，将所述外延层通过金属引线到背面金属层，器件背面的所述引线孔的总面积大于等于器件正面的引线孔的总面积。/n | |
当前IP积分： 个
IP会员剩余免费次数：次
| 联系方式*: | |
|---|---|
| 举报内容*: |
| 内容*: | |
|---|---|
| 联系方式: |
| 所属省市县(区) | 注册地址 | ||||
| 曾用名 | 法定代表人 | ||||
| 经营状态 | 成立日期 | 核准日期 | |||
| 营业期限 | 至 | 注册资本 | 实缴资本 | ||
| 统一社会信用代码 | 纳税人识别号 | 注册号 | |||
| 组织机构代码 | 公司类型 | ||||
| 参保人数 | 行业 | ||||
| 经营范围 | |||||
风格一
风格二
风格三
风格四
风格五
风格六
风格七
风格八
风格九
