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BS.235501360-反向续流碳化硅 MOS场效应晶体管（SiC-MOSFET）- 江南大学

2023年08月25日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.235501360的集成电路，该集成电路名称为反向续流碳化硅 MOS场效应晶体管（SiC-MOSFET），由江南大学作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.235501360

布图设计申请日：

2023年01月08日

公告日期：

2023年08月25日

公开（公告）号：

64864

布图设计名称：

反向续流碳化硅 MOS场效应晶体管（SiC-MOSFET）

布图设计结构：

布图设计技术：

布图设计功能：

布图设计权利人：

江南大学

布图设计权利人国籍：

布图设计创作人：

江南大学

布图设计创作完成日：

2022年12月10日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

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1、BS.235501360-反向续流碳化硅 MOS场效应晶体管（SiC-MOSFET）- 江南大学

同日公布集成电路设计

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