BS.215594770-一种P30V Trench Gate MOSFET芯片布图设计- 扬杰科技(无锡)有限公司


  2021年12月17日,国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.215594770的集成电路, 该集成电路名称为 一种P30V Trench Gate MOSFET芯片布图设计, 由 扬杰科技(无锡)有限公司 作为布图设计权利人。


集成电路布图设计专用权公告具体内容如下:

BS.215594770
2021年08月05日
2021年12月17日
50391
一种P30V Trench Gate MOSFET芯片布图设计
MOS
PMOS
其他
扬杰科技(无锡)有限公司
中国
徐瑶
2021年03月25日
曹晓斐
北京国科程知识产权代理事务所(普通合伙)
-
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢10层1007


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