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BS.215594770-一种P30V Trench Gate MOSFET芯片布图设计- 扬杰科技（无锡）有限公司

2021年12月17日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.215594770的集成电路，该集成电路名称为一种P30V Trench Gate MOSFET芯片布图设计，由扬杰科技（无锡）有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.215594770

布图设计申请日：

2021年08月05日

公告日期：

2021年12月17日

公开（公告）号：

50391

布图设计名称：

一种P30V Trench Gate MOSFET芯片布图设计

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

PMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

扬杰科技（无锡）有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

徐瑶

布图设计创作完成日：

2021年03月25日

代理人：

曹晓斐

代理机构：

北京国科程知识产权代理事务所（普通合伙）

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢10层1007

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同日公布集成电路设计

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