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BS.215589424-130nm工艺下抗辐射SRAM中灵敏放大器设计- 安徽大学

2022年06月01日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.215589424的集成电路，该集成电路名称为 130nm工艺下抗辐射SRAM中灵敏放大器设计，由安徽大学作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.215589424

布图设计申请日：

2021年07月27日

公告日期：

2022年06月01日

公开（公告）号：

54175

布图设计名称：

130nm工艺下抗辐射SRAM中灵敏放大器设计

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

安徽大学

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

王翊、刘瑜、蒋芳、柏娜、陈冬、许耀华

布图设计创作完成日：

2021年07月20日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

安徽省合肥市蜀山区九龙路111号安徽大学

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同日公布集成电路设计

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