BS.215543513-基于自主抗辐照SOI CMOS工艺研发的高可靠异步抗辐照SRAM存储器电路- 中国电子科技集团第五十八研究所

2021年11月05日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.215543513的集成电路，该集成电路名称为基于自主抗辐照SOI CMOS工艺研发的高可靠异步抗辐照SRAM存储器电路，由中国电子科技集团第五十八研究所作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.215543513

布图设计申请日：

2021年04月21日

公告日期：

2021年11月05日

公开（公告）号：

48155

布图设计名称：

基于自主抗辐照SOI CMOS工艺研发的高可靠异步抗辐照SRAM存储器电路

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

存储

布图设计权利人：

中国电子科技集团第五十八研究所

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

周旺、顾飞、高宏

布图设计创作完成日：

2020年10月20日

代理人：

杨立秋

代理机构：

无锡派尔特知识产权代理事务所（普通合伙）

商业用途开始日期：

布图设计权利人地址：

江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号B1栋

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