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BS.215017226-一种低陷阱效应的氮化镓高压器件- 深圳英嘉通半导体有限公司

2022年08月17日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.215017226的集成电路，该集成电路名称为一种低陷阱效应的氮化镓高压器件，由深圳英嘉通半导体有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.215017226

布图设计申请日：

2021年12月28日

公告日期：

2022年08月17日

公开（公告）号：

55953

布图设计名称：

一种低陷阱效应的氮化镓高压器件

布图设计结构：

布图设计技术：

布图设计功能：

布图设计权利人：

深圳英嘉通半导体有限公司

布图设计权利人国籍：

布图设计创作人：

蒋胜、柳永胜、黄小蕾、程新

布图设计创作完成日：

2021年12月19日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

深圳英嘉通半导体有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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