更多菜单

BS.205541267-H35R35低压DMOS- 南京华瑞微集成电路有限公司

2020年09月02日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.205541267的集成电路，该集成电路名称为 H35R35低压DMOS，由南京华瑞微集成电路有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.205541267

布图设计申请日：

2020年06月28日

公告日期：

2020年09月02日

公开（公告）号：

33750

布图设计名称：

H35R35低压DMOS

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

NMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

南京华瑞微集成电路有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

南京华瑞微集成电路有限公司

布图设计创作完成日：

2019年04月16日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

2019年08月13日

布图设计权利人地址：

江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号

南京华瑞微集成电路有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

拖动滑块完成拼图

Document

拖动滑块完成拼图

订单

风格一
风格二
风格三
风格四
风格五
风格六
风格七
风格八
风格九