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BS.205003443-一种低漏源电阻大过流场效应晶体管- 上海安导电子科技有限公司

2020年07月24日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.205003443的集成电路，该集成电路名称为一种低漏源电阻大过流场效应晶体管，由上海安导电子科技有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.205003443

布图设计申请日：

2020年03月15日

公告日期：

2020年07月24日

公开（公告）号：

32416

布图设计名称：

一种低漏源电阻大过流场效应晶体管

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

NMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

上海安导电子科技有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

吴岩、茅寅松

布图设计创作完成日：

2020年02月18日

代理人：

郭国中

代理机构：

上海段和段律师事务所

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

上海市奉贤区海湾镇五四支路171号14幢92室

上海安导电子科技有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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