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BS.19560508X-一种最大5节低功耗低漏电锂电池保护芯片- 晶艺半导体有限公司

2020年01月03日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.19560508X的集成电路，该集成电路名称为一种最大5节低功耗低漏电锂电池保护芯片，由晶艺半导体有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.19560508X

布图设计申请日：

2019年08月14日

公告日期：

2020年01月03日

公开（公告）号：

23867

布图设计名称：

一种最大5节低功耗低漏电锂电池保护芯片

布图设计结构：

Bi-MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

晶艺半导体有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

杨斯龙

布图设计创作完成日：

2019年05月17日

代理人：

林菲菲

代理机构：

成都行之专利代理事务所（普通合伙）

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

四川省成都市高新区盛华南路80号32栋10层1020号

晶艺半导体有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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