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BS.195604083-低频SOI-EDNMOS功率放大器- 杭州地芯科技有限公司

2020年01月03日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.195604083的集成电路，该集成电路名称为低频SOI-EDNMOS功率放大器，由杭州地芯科技有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.195604083

布图设计申请日：

2019年08月07日

公告日期：

2020年01月03日

公开（公告）号：

23827

布图设计名称：

低频SOI-EDNMOS功率放大器

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

其他

布图设计权利人：

杭州地芯科技有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

吴瑞砾、周小爽、聂宏、吕飞龙、周叶文、温墨、白植航、袁尘旦

布图设计创作完成日：

2019年08月01日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

浙江省杭州市余杭街道文一西路1818-2号1幢808

杭州地芯科技有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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