BS.165520043-具有ESD保护的浮空层分裂栅功率MOSFET- 深圳市迪浦电子有限公司


  2017年06月02日,国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.165520043的集成电路, 该集成电路名称为 具有ESD保护的浮空层分裂栅功率MOSFET, 由 深圳市迪浦电子有限公司 作为布图设计权利人。


集成电路布图设计专用权公告具体内容如下:

BS.165520043
2016年12月12日
2017年06月02日
14066
具有ESD保护的浮空层分裂栅功率MOSFET
MOS
NMOS
其他
深圳市迪浦电子有限公司
中国
深圳市迪浦电子有限公司
2016年08月28日
曹红梅
深圳市中科创为专利代理有限公司
-
广东省深圳市福田区华强北街道振兴路101号B座5层558室


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