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BS.165517905-一种MRAM（磁性随机存储器）芯片存储单元的布版图- 上海磁宇信息科技有限公司

2017年03月15日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.165517905的集成电路，该集成电路名称为一种MRAM（磁性随机存储器）芯片存储单元的布版图，由上海磁宇信息科技有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.165517905

布图设计申请日：

2016年10月28日

公告日期：

2017年03月15日

公开（公告）号：

13689

布图设计名称：

一种MRAM（磁性随机存储器）芯片存储单元的布版图

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

存储

布图设计权利人：

上海磁宇信息科技有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

上海磁宇信息科技有限公司

布图设计创作完成日：

2016年09月21日

代理人：

于晓菁

代理机构：

上海容慧专利代理事务所（普通合伙）

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

上海市嘉定区上海嘉定区城北路235号2号楼2层

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同日公布集成电路设计

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