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BS.14500757X-一种用于GSM手机基于0.18um SiGe异质结 Bipolar工艺的功率放大器- 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

2014年12月17日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.14500757X的集成电路，该集成电路名称为一种用于GSM手机基于0.18um SiGe异质结 Bipolar工艺的功率放大器，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.14500757X

布图设计申请日：

2014年08月13日

公告日期：

2014年12月17日

公开（公告）号：

9821

布图设计名称：

一种用于GSM手机基于0.18um SiGe异质结 Bipolar工艺的功率放大器

布图设计结构：

Bipolar

布图设计技术：

其他

布图设计功能：

线性

布图设计权利人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

田彤、孟凡振、马建平、毛方玉

布图设计创作完成日：

2014年04月25日

代理人：

黄志达

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

上海市长宁区长宁路865号

中国科学院上海微系统与信息技术研究所的其他集成电路

同日公布集成电路设计

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