更多菜单

BS.135004756-1Gb DDRⅡ DRAM（45nm）- 西安华芯半导体有限公司

2013年09月04日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.135004756的集成电路，该集成电路名称为 1Gb DDRⅡ DRAM（45nm），由西安华芯半导体有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.135004756

布图设计申请日：

2013年05月14日

公告日期：

2013年09月04日

公开（公告）号：

7622

布图设计名称：

1Gb DDRⅡ DRAM（45nm）

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

存储

布图设计权利人：

西安华芯半导体有限公司

布图设计权利人国籍：

西安

布图设计创作人：

西安华芯半导体有限公司

布图设计创作完成日：

2012年04月20日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

2012年12月20日

布图设计权利人地址：

陕西省西安市高新区高新六路38号A座4楼

西安华芯半导体有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

拖动滑块完成拼图

Document

拖动滑块完成拼图

订单

风格一
风格二
风格三
风格四
风格五
风格六
风格七
风格八
风格九