| 序号 | 登记号 | 布图设计名称 | 申请日 | 公告日 | 布图设计权利人 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | BS.245542280 | 100V 5A上下结构屏蔽栅结构 SGTMOS | 2024年06月17日 |
2024年12月11日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 2 | BS.245542299 | 150V 70A上下结构屏蔽栅结构 SGTMOS | 2024年06月17日 |
2024年12月11日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 3 | BS.245542272 | 80V 180A上下结构屏蔽栅结构 SGTMOS | 2024年06月17日 |
2024年12月06日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 4 | BS.235594865 | 20V 2A集成 ESD保护结构的 TrenchMOS | 2023年11月14日 |
2024年06月14日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 5 | BS.235594873 | 150V 6A Trench MOS | 2023年11月14日 |
2024年06月14日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 6 | BS.23559489X | BSS12芯片版图设计 | 2023年11月14日 |
2024年06月14日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 7 | BS.235559210 | 30V TrenchMOS集成 ESD模块 | 2023年07月25日 |
2024年01月05日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 8 | BS.23551635X | N200V100A屏蔽栅沟通功率 MOS | 2023年03月17日 |
2023年11月03日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 9 | BS.235516376 | N150V50A屏蔽栅沟通功率 MOS | 2023年03月17日 |
2023年11月03日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 10 | BS.23551649X | N100V130A屏蔽栅沟通功率 MOS | 2023年03月20日 |
2023年11月03日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 11 | BS.225537206 | 2N7002版图布局 | 2022年04月08日 |
2022年12月14日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
| 12 | BS.225537303 | 优化栅极信号传输的一种Trench Mos 芯片版图 | 2022年04月08日 |
2022年12月14日 |
无锡市谷峰半导体有限公司 |
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